• 类型1个P沟道
• 漏源电压(Vdss)30V
• 连续漏极电流(Id)8.8A
• 导通电阻(RDS(o20mΩ@10V,8.8A

--- 产品详情 ---

FDS4435BZ

P 沟道 PowerTrench® MOSFET（金属 - 氧化物半导体场效应晶体管）
-30V，-8.8A，20 毫欧

特性

• 当 = -10V， = -8.8A 时，最大导通电阻为 20 毫欧
• 当 = -4.5V， = -6.7A 时，最大导通电阻为 35 毫欧
• 扩展的栅源电压范围（-25V），适用于电池应用
• 典型的人体放电模式（HBM）静电放电（ESD）保护等级为 ±3.8 千伏（注释 3）
• 高性能沟槽技术，可实现极低的导通电阻
• 高功率和电流处理能力
• 无铅，符合 RoHS 标准