G2020 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯 片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2020 采

用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯 片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防 直通的死区逻辑。G2020 其浮动通道可用于驱动高压 侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 250V 。 G2020 采 用 SOIC8 封 装 ， 可 以 在 -40 ℃ 至 125℃温度范围内工作。

自举工作的浮地通道

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最高工作电压为+250 V

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兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑

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dVS/dt 耐受能力可达±50 V/ns

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Vs 负偏压能力达-9V

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栅极驱动电压从 6 V 到 20V

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集成欠压锁定电路

– 欠压锁定正向阈值 5.5V

– 欠压锁定负向阈值 5V

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防直通死区逻辑

– 死区时间设定 200ns

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芯片传输延时特性

– 开通/关断传输延时 Ton/Toff =150ns/140ns

– 延迟匹配时间 50ns

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宽温度范围-40°C ~125°C

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输出级拉电流/灌电流能力 1.2A/1.5A

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符合 RoSH 标准

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SOIC8 封装

电机控制

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空调/洗衣机

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通用逆变器

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微型逆变器驱动