中颖 SH367306 AFE 芯片详解：两轮车换电 BMS 的模拟前端

基于量产 60V 20 串 BMS（STM32F072 + SH367306 × 2），从寄存器到数据流，完整拆解这片 AFE 的硬件能力、软件驱动与工程细节。

一、为什么需要 AFE？

BMS 的主控 MCU（本项目为 STM32F072）是一个纯数字芯片——它没有高压模拟前端，无法直接测量 60V 电池包的每一节电芯电压。所以需要一个**模拟前端（AFE，Analog Front End）**来完成：

  • 每节电芯的电压采集（最高 4.2V × 20 串 = 84V 共模电压，MCU 的 ADC 根本扛不住）
  • 电流采样（0.5mΩ 采样电阻上的 μV 级差分信号）
  • 电芯均衡（内置均衡 MOSFET 驱动）
  • 硬件短路保护（μs 级，不依赖 MCU 软件）
  • 充放电 MOSFET 驱动

SH367306 是**中颖电子（SinoWealth）**为锂电池保护板设计的专用 AFE，单颗最多管理 10 串电芯。本项目是 20 串，所以用了两片级联。

二、硬件连接全景

                    STM32F072 (Cortex-M0, 48MHz)
                         │
         ┌───────────────┼───────────────┐
         │               │               │
    TWI1 (PB6/PB7)  TWI2 (PB10/PB11)  TIM16_CH1 (PB1)
    I2C @ 400kHz    I2C @ 400kHz      GPIO 模拟 PWM
         │               │               │
         ▼               ▼               ▼
   ┌──────────┐   ┌──────────┐        CTLD 引脚
   │SH367306 #1│   │SH367306 #2│   (限流硬件控制)
   │ 0x1B     │   │ 0x1B     │
   │ Cell 1-10│   │ Cell 11-20│
   └────┬─────┘   └────┬─────┘
        │              │
   ┌────┴────┐    ┌───┴─────┐
   │TS1: MOS │    │TS1: 预充│
   │TS2: 环境│    │TS2: 参考│
   │SRP/SRN  │    │SRP/SRN  │ ← 同一条采样电阻
   │CHG/DSG  │    │CHG/DSG  │ ← 并联驱动同一对 MOS
   └─────────┘    └─────────┘

四根关键连线：

信号方向作用
TWI (I2C)MCU ↔ AFE读写寄存器、获取采样数据、控制均衡
ALARMAFE → MCU短路/过压/看门狗硬件故障中断
CTLDMCU → AFE放电限流 PWM，硬件直连，不经过 I2C
WAKEUPMCU → AFE休眠/唤醒控制

三、I2C 通信：不是普通 I2C

SH367306 的 I2C 从机地址是 0x1B（7-bit），写地址 0x36，读地址 0x37。

3.1 传输格式

写操作：START + 0x36 + RegAddr + Data + STOP
读操作：START + 0x36 + RegAddr + RESTART + 0x37 + [HiByte][LoByte] + STOP

每次读取固定 2 字节。电压/电流/温度数据均为低 12 位有效，高 4 位是标志位。

3.2 三层容错

驱动代码中对 I2C 通信做了三层容错：

第一层 — 读写重试（Sh367306_1_Drv.c:137-186）：

// 每次读写失败最多重试 TRY_TIMES(5) 次
while (times++ < TRY_TIMES) {
    result = Twi1Drv_Write(SlaveAdd << 1, WrAddr, 1, &WrBuf);
    if (result == 1) break;  // 成功立即返回
}

第二层 — 写入验证（Sh367306_1_Drv.c:195-223）：

// 写入后回读，确认寄存器值确实被写入
while (RegWriteFlg) {
    AfeIf_Write(RdAddr, Data);
    AfeIf_Read(RdAddr, 2, &Buffer);
    if (Buffer[0] == Data) break;     // 读写一致，OK
    if (++RegWriteFlg > 20) return 0; // 最多重试 20 次
}

第三层 — 运行时回读校验（Sh367306_1_Drv.c:1041-1049）：

// 每 4s 检测一次 SCONF1 是否与初始化值一致
if (s_usCTLDPinChek % 100 == 1) {
    AfeIf_Read(SCONF1, 2, &DataBuff);
    if (DataBuff[0] != g_Afe1Sconfig1.Data) {
        AfeIf_RegWrite(SCONF1, g_Afe1Sconfig1.Data); // 被干扰了，回写修复
    }
}

为什么要这么做？BMS 的工作环境极其恶劣——大电流 PWM、MOSFET 开关的 EMI、振动——I2C 数据被干扰或 AFE 寄存器被静电打翻的事时有发生。三层容错保证在这种环境下数据依然可靠。

四、寄存器全图谱

SH367306 的寄存器分为三类：状态标志、系统配置、采样数据。

4.1 状态标志寄存器

寄存器地址位域
FLAG10x00TWI_INT | WDT | OV(过压) | SC(短路) | Reserved
FLAG20x01VADC(电压采样完成) | CADC(电流采样完成) | RST | Reserved
BSTATUS0x02CHGR(充电器插入) | LOAD(负载接入) | CHGING | DSGING | CHG(MOS状态) | DSG(MOS状态)

FLAG1 和 FLAG2 是锁存标志 — 置位后不会自动清零，MCU 需要向 SCONF1.LTCLR 写 1→0 来手动清除。

4.2 系统配置寄存器

寄存器地址核心功能
INT_EN0x03中断使能：TWI/WDT/VADC/CADC/CD/OV/SC 各独立开关
SCONF10x04硬件保护使能（SC_EN/WDT_EN/CTLD_EN） + LTCLR 清除锁存
SCONF20x05CHG_C(充电MOS) / DSG_C(放电MOS) / ALARM_C / RESET_PF
SCONF30x06VADC_EN / CADC_EN / 转换周期 / 分辨率选择
SCONF40x07均衡开关 CB6 ~ CB10（电芯 6~10）
SCONF50x08均衡开关 CB1 ~ CB5（电芯 1~5）
SCONF60x09短路保护：阈值(SCV) / 延时(SCT) / 恢复延时(RST) / 增益(RSNS)
SCONF70x0A看门狗溢出时间(WDTT) / 过压延时(OVT) / 充放电选择(CHS)
SCONF80x0BOVD_8/OVD_9 过压检测延时
SCONF90x0COVD_0~OVD_7 过压检测延时
SCONF100x0D引脚功能配置 / 低功耗模式

4.3 采样数据寄存器

寄存器地址内容有效位
REGCELL1 ~ REGCELL100x0E ~ 0x2010 路电芯电压 ADC 值12-bit
REGTS1 ~ REGTS20x22 ~ 0x242 路外部 NTC 温度 ADC 值12-bit
REGTEMP1 ~ REGTEMP20x26 ~ 0x282 路内部芯片温度 ADC 值12-bit
REGCUR0x2A电流 ADC 值（bit12 = 方向：1=放电 0=充电）16-bit

五、电芯电压采集：从 ADC 到 mV

5.1 采样时序

SH367306 内部有一个自动扫描的 VADC，按 SCONF3.SCAN_C 配置的周期循环采样 10 路电芯电压。每完成一轮，FLAG2.VADC 置位。

// 项目配置
g_Afe1Sconfig3.B.SCAN_C_0 = 0;   // VADC 转换周期 = 最快
g_Afe1Sconfig3.B.SCAN_C_1 = 0;
g_Afe1Sconfig3.B.SCAN_C_2 = 0;
g_Afe1Sconfig3.B.VADC_EN  = 1;   // VADC 使能

这意味着 MCU 不需要主动触发每次电压采样——只需要等 FLAG2.VADC == 1，然后一口气读完 10 路电压。

5.2 电压换算公式

// AfeIf_Calculate.c
CellVoltage_mV = (1000 × ADC_Value × 6 / 4096) - Offset

// 1000: 单位转换为 mV
// 6:    基准电压 6V（AFE 内部 VREF，对应 0~5V 量程）
// 4096: 12-bit ADC 满量程
// Offset: 芯片 1 偏移 3mV，芯片 2 偏移 5mV（补偿 PCB 走线压降）

例如 ADC 读数为 2048：

CellVoltage = 1000 × 2048 × 6 / 4096 - 3 = 2997mV ≈ 3.0V

5.3 Cell1 的特殊校准

Cell1 的 B- 采样线通常最长，线上的压降不可忽略。本项目在工厂模式和运营模式下用了两种不同的校准策略：

工厂模式（AfeIf_Calculate.c:199-216）— 在线自校准：

// 电流 > 6A 时，Cell1 电压 = (总压 - Cell1) / 19（用其他 19 节的平均值作为 Cell1 的参考）
if (abs(Current) > 6000) {
    if (abs(CellVoltage[0] - AvgOfOther19) < 150mV) {
        CellVoltage[0] = AvgOfOther19;  // 偏差 <150mV 则自动校准
    }
}

运营模式（AfeIf_Calculate.c:219-226）— 固定系数补偿：

// 6020 电池包：B- 线压降 0.50mV/A
CellVoltage[0] -= Current × 50 / 100000;

// 6030 电池包：B- 线压降 0.33mV/A
CellVoltage[0] -= Current × 33 / 100000;

六、电流采集：比电压复杂 10 倍

电流是 BMS 所有决策的基础——SOC 估算、故障保护、模式切换都依赖它。SH367306 的 CADC（Current ADC）是整颗芯片中最精密的模拟电路。

6.1 物理链路

采样电阻 (0.5mΩ, 两端焊接在 PCB 大铜皮上)
    │
    ├── SRP 引脚 (Kelvin 连接, 采样电阻正端)
    │
    └── SRN 引脚 (Kelvin 连接, 采样电阻负端)
            │
            ▼
    SH367306 内部 PGA (可编程增益放大器)
            │
            ▼
    16-bit ΣΔ ADC
            │
            ▼
    REGCUR 寄存器

6.2 换算公式

// AfeIf_Calculate.c: CalculateCurrent()

// 第一步：方向判断 + 补码转换
if (CADC_Value bit12 == 1)  // 放电方向
    RawValue = -((0x10000 - CADC_Value) & 0x1FFF);
else                         // 充电方向
    RawValue = CADC_Value & 0x1FFF;

// 第二步：零点偏移 + 温漂补偿
CorrectedValue = RawValue - ZeroOffset + TempDrift;

// 第三步：量纲转换
Current_mA = CorrectedValue × (50mV / 4096) / 0.5mΩ
           = CorrectedValue × 100A / 4096
           ≈ CorrectedValue × 24.4mA/LSB

6.3 零点自学习：上电后自动找"零电流"

上电初始化时，假设电池处于静止状态（无充放电），MCU 自动执行零点自学习（Sh367306_1_Drv.c:880-933）：

1. 等待 CADC 采样完成（FLAG2.CADC == 1）
2. 读取 REGCUR，计算零点偏移
3. 连续多次采样（2~30 次），取两次不同值的均值
4. 零点偏移限制在 ±10 LSB 以内（约 ±240mA）
5. 超时 200S 未完成则报 AFE 故障

这个自学习的巧妙之处在于：它取两次不同值的均值，而不是所有采样的均值。这样即使有一个异常点，也不会拉偏零点。

6.4 温漂补偿：电流零点会随温度漂移

采样电阻和 AFE 内部运放都有温度系数。电流零点在 -25°C 和 +75°C 之间可能漂移好几 A。驱动代码中有一张温度→偏移补偿表（Sh367306_1_Drv.c:679-728）：

int8_t GetTheTempOffset(int16_t ChipTemp) {
    // 低温漂负方向
    if (ChipTemp > -44 && ChipTemp <= -40) return -6;
    if (ChipTemp <= -30) return -5;
    if (ChipTemp <= -20) return -4;
    if (ChipTemp <= -10) return -3;
    if (ChipTemp <=   0) return -2;
    if (ChipTemp <=  10) return -1;
    // 常温不漂
    if (ChipTemp >  10 && ChipTemp < 35) return 0;
    // 高温漂正方向
    if (ChipTemp >=  75) return +4;
    if (ChipTemp >=  65) return +3;
    if (ChipTemp >=  55) return +2;
    if (ChipTemp >=  35) return +1;
    return 0;
}

补偿精度：每个 LSB ≈ 24.4mA，低温最大补偿 -6 LSB ≈ -146mA，高温最大补偿 +4 LSB ≈ +98mA。

6.5 电流滤波

原始电流数据还要经过两级滤波（AfeIf_Calculate.c:286-339）：

原始电流
    │
    ├─ 相邻两次差值 > 30mA → 异常跳变，丢弃旧值
    │
    ├─ 两次采样取平均值
    │
    ├─ 充/放分向校准系数（默认 1.015，可在 ±20% 标定）
    │    放电方向 = 原始值 × ChgCurFactor / 1000
    │    充电方向 = 原始值 × DsgCurFactor / 1000
    │
    └─ |Current| < 250mA → 强制归零（消除噪声）

七、温度采集：NTC 查表

每个 SH367306 有两个外部 NTC 输入（TS1/TS2），本项目中的分配：

传感器物理位置测量对象
AFE1 TS1MOS 管散热片旁MOS 温度
AFE1 TS2电池包内部空间环境温度
AFE2 TS1预充电阻旁预充电阻温度
AFE2 TS2PCB 板上 10K 参考温度参考校验

NTC 类型为 10KΩ B=3435，搭配 10KΩ 上拉电阻接到 AFE 内部基准电压。

7.1 ADC → 电阻值

// AfeIf_Calculate.c
R_NTC = (10000 × 10 × ADC_Value) / (4096 - ADC_Value)
//       ↑ 10K 上拉电阻    ↑ 12-bit ADC 满量程

7.2 电阻值 → 温度

191 点 NTC RT 表（-45°C ~ +145°C），线性插值查表（AfeIf_Calculate.c:46-88）：

// 查表定位
for (i = 1; i < 191; i++) {
    if (R_NTC < Table[i]) continue;  // 还没找到
    else break;                       // 找到了！R_NTC 在 Table[i-1] 和 Table[i] 之间
}

// 线性插值
Temp = i × 10 - 10 × (R_NTC - Table[i]) / (Table[i-1] - Table[i]);
return Temp - 450;  // 偏移 -45°C（表的第 0 点对应 -45°C）

7.3 分段校准

查表得到的温度还要经分段校准（AfeIf_Calculate.c:98-119）：

if (Temp < -43°C)      → 不校准（超出线性范围）
else if (Temp < -25°C)  → +2°C
else if (Temp < 0°C)    → +1°C
else                     → 不校准

八、硬件短路保护：不依赖 MCU 的最后防线

这是 SH367306 最"硬"的功能——完全不经过 MCU 软件。

采样电阻电压 > SCV 阈值 (200mV ≈ 400A @ 0.5mΩ)
    │
    ├─ 硬件延时 SCT (50μs) 去抖确认
    │
    ├─ AFE 硬件自动清零 SCONF2.DSG_C → 断开放电 MOS
    │
    ├─ FLAG1.SC 锁存置位
    │
    └─ ALARM 引脚输出中断信号 → MCU 进入 AfeIf_AlarmPin() ISR

为什么是 50μs？

  • 太快（如 5μs）→ 正常负载突变的浪涌电流会误触发
  • 太慢（如 500μs）→ MOSFET 在短路电流下已经开始损坏
  • 50μs 是一个经验折中——足够避开浪涌，又快到能救 MOSFET 的命

MCU 侧的软件二次确认

MCU 收到 ALARM 中断后，并不直接采信——而是做软件去抖（Sh367306_1_Drv.c:300-360）：

if (FLAG1.SC == 1) {
    Cnt++;
    ShortCircuitPreChg_Cnt++;
    ClearFlg();  // 清除 AFE 锁存，允许硬件重新判断

    if (Cnt >= 12) {           // 连续 12 次 = 持续约 600ms
        SCStatus = 1;          // 确认真实短路
        Cnt = 0;
    }
}

if (Time > 14) {               // 14 个周期没达到 12 次
    Cnt = 0;                   // 重置 — 刚才可能是干扰
}

这个 12/14 的阈值设计很有意思：如果每周期都触发短路，12 个周期就锁定；如果有间歇（比如 14 个周期只触发了 10 次），就重置。这避免了在某些"接近短路但不完全是"的工况下误锁。

九、电芯均衡：交错控制防止局部过热

SH367306 内置 10 路均衡 MOSFET 驱动，通过 SCONF4 和 SCONF5 两个寄存器控制。

9.1 为什么交错？

如果相邻两节电芯同时开启均衡（例如 Cell1 和 Cell2），它们的均衡电流都流过 Cell2 的采样线，导致 Cell2 电压读数偏高 20-30mV。更糟的是，相邻均衡 MOSFET 同时导通会在局部产生热点。

9.2 交错实现

// BalanceOpen() — Sh367306_1_Drv.c
if (i % 2 == 0) {
    // 偶数周期：只开奇数电芯 (bit 0,2,4,6,8)
    SCONF4 = Config & 0x55;  // 0b01010101
    SCONF5 = Config & 0x55;
} else {
    // 奇数周期：只开偶数电芯 (bit 1,3,5,7,9)
    SCONF4 = Config & 0xAA;  // 0b10101010
    SCONF5 = Config & 0xAA;
}

9.3 均衡与电压采样互斥

均衡开启时，均衡电流流过电芯采样线，电压读数不准。所以驱动代码做了一个关键设计——均衡开启和电压读取分时进行（Sh367306_1_Drv.c:1070-1099）：

周期  操作
 0    空闲
 1    空闲
 2    GetVadcData() + BalanceOpen(奇通道)   ← 先读电压，再开均衡
 3    空闲
 4    空闲
 5    空闲
 6    BalanceOpen(偶通道)                   ← 只开均衡，不读电压
 7    空闲
 8    空闲
 9    空闲
10    BalanceClose()                        ← 关均衡
11    清除 VADC 标志，准备下一轮

11 个周期 × 40ms = 440ms 一个完整循环。均衡开启的最大占空比约 50%（交错后每个通道的实际导通时间）。

十、CTLD 引脚：放电限流的硬件捷径

CTLD（Current Limit Discharge）是 SH367306 一个非常巧妙的设计。

10.1 为什么不走 I2C？

一次 I2C 读写大约 1ms。如果要通过 I2C 来实现 PWM 关断放电 MOS：

  • PWM 周期至少得是 I2C 延迟的 10 倍以上 → PWM 频率只能做到 100Hz
  • 每个周期都要发起一次 I2C 通信 → MCU 被 I2C 中断淹没

CTLD 是一个纯硬件引脚——拉低即关断放电 MOS，拉高即导通。MCU 只需翻转 GPIO，不经过任何通信协议。

10.2 驱动代码

// 拉低 → 关断放电 MOS（限流生效）
static void CURRENTLIMITPIN_GPIO_OUT_L() {
    Afe1_LimitCurrPwm_GPIO_Port->BSRR = Afe1_LimitCurrPwm_Pin;
}

// 拉高 → 恢复导通
static void CURRENTLIMITPIN_GPIO_OUT_H() {
    Afe1_LimitCurrPwm_GPIO_Port->BRR = Afe1_LimitCurrPwm_Pin;
}

10.3 波形生成

在 100µs 的 TIM16 中断中：

void AfeIf_CurrentLimit() {
    if (TimeCnt < DutyCycle)  CURRENTLIMITPIN_GPIO_OUT_L();  // 前 N 个 tick 关断
    else                      CURRENTLIMITPIN_GPIO_OUT_H();  // 后面导通

    TimeCnt++;
    if (TimeCnt >= 33) TimeCnt = 0;  // 周期 = 33 × 100µs = 3.3ms ≈ 303Hz
}

CTLD 让 BMS 可以用一个普通的 GPIO + 定时器就实现 303Hz 的 PWM 限流，不需要额外的 MOSFET 驱动电路，也不需要高速通信总线。

十一、上电初始化：长达 2 秒的精密流程

SH367306 的上电初始化是本项目中最长的单段代码（Sh367306_1_Drv.c:736-959），大约 200 行，耗时 2~3 秒。

 0ms   TWI 接口初始化
 0ms   WAKEUP 引脚拉高
 0ms   写 SCONF2=0x00（先关 MOS，确保安全）
 0ms   延时 800ms（等 AFE 内部振荡器起振）
 800ms CTLD 限流引脚初始化
 800ms 配置寄存器初始化(RegisterInit)
        ├─ SCONF1: SC_EN=1, WDT_EN=1, CTLD_EN=1
        ├─ SCONF3: VADC_EN=1, CADC_EN=1
        ├─ SCONF6: 短路 50μs/200mV, 恢复 32ms, 增益 100mV
        ├─ SCONF7: WDT ≈ 10s, OVT=0
        └─ INT_EN: VADC_INT=1, CADC_INT=1, SC_INT=1
 800ms 依次写入 SCONF1/2/3/6/7 + INT_EN
       任一写入失败 → 故障标志置位
1000ms 清除锁存标志
1000ms 关闭所有均衡
1000ms 延时 2s
3000ms 循环等待 VADC 和 CADC 首次采样完成
        ├─ VADC: 10 路电压全在 0.5V~5.0V → OK
        ├─ CADC: 零点自学习 2~30 次取均值
        └─ 超时 200s → 报 AFE 故障
3000ms 零点偏移 + 芯片温度补偿
3000ms 初始化完成

这个流程有几个值得注意的点：

  1. 先关 MOS 再初始化：防止初始化过程中 MOS 意外导通
  2. 800ms 延时：等 AFE 内部 LDO 和振荡器稳定，不能省略
  3. 寄存器回读验证：每个配置寄存器写入后都回读，不是 fire-and-forget
  4. 零点学习多次取均值：不是读一次就完，而是反复采集直到两次不同值

十二、低功耗休眠

MCU 进入休眠前，AFE 也要同步休眠（Sh367306_1_Drv.c:1103-1116）：

// 1. 关断 CHG/DSG MOS
g_Afe1Sconfig2.B.CHG_C = 0;
g_Afe1Sconfig2.B.DSG_C = 0;
ChgAndDsgCtrl();

// 2. 关闭所有均衡
BalanceClose();

// 3. WAKEUP 引脚拉低 → AFE 进入 PowerDown
AfeDeWakeup();

// 4. 写入低功耗寄存器
EnterLowPower();  // SCONF10=0x33, SCONF1=0x20

休眠后 AFE 的静态功耗从 mA 级降到 μA 级。唤醒时只需要拉高 WAKEUP 引脚，然后重新走初始化流程。

十三、双芯片数据融合

两片 SH367306 的数据在 AfeIf_Calculate.c 的 CalculateValueRunnable() 中统一处理：

void AfeIf_CalculateValueRunnable(void) {
    CalculateVoltage();       // 20 路电压 → CellVoltage_mV[0..19]
    CalculateTemperature();   // 4 路 NTC → MOS温度 / 环境温度 / 预充电阻温度 / 参考温度
    CalculateCurrent();       // AFE1 电流 → CurrentRaw_mA
    CalculateVolMaxMin();     // 最高/最低单体电压
    MosFETState();            // CHG/DSG MOS 状态
    BalanceState();           // 20 路均衡状态
    Afe_StatusDignose();      // AFE1 故障 | AFE2 故障
}

关键设计：电流只用 AFE1。两片 AFE 的 SRP/SRN 并联到同一个采样电阻，但只用 AFE1 的 CADC 数据。AFE2 的 CADC 虽然也在运行，但不参与电流计算——避免两片芯片的零点偏移不同导致数据矛盾。

十四、工程经验总结

14.1 为什么要用两片 SH367306 而不是一片 20 串的芯片？

选型是 2021 年做的。当时国产 20 串 AFE 的选择很少，中颖的 SH367306（10 串）是经过市场验证的成熟方案。两片 10 串比一片未经验证的 20 串更可靠。而且两片独立供电、独立通信，单颗故障不会导致全部 20 串数据丢失。

14.2 最容易被忽视的坑

均衡时不能读电压。 SH367306 内部只有一个 ADC，均衡电流会干扰采样结果。如果均衡和采样同时进行，电压读数可能偏差 50mV 以上——在 3.6V 满充附近，50mV 足够把一节正常电芯误判为过压。

电流零点漂移。 0.5mΩ 采样电阻在 30A 时只有 15mV 压降，而 AFE 内部的运放失调电压就可能达到几个 μV。温度从 -20°C 变到 60°C 时，失调电压漂移几个 μV 就可能对应几百 mA 的零点偏移。温漂补偿表是必须的。

I2C 在强干扰下不可靠。 MOSFET 开关的 EMI 会耦合到 I2C 线上。三层容错（重试+验证+回读修复）是量产代码和实验室代码的最大区别。

十五、关键参数速查

参数数值说明
管理串数10 串/片本项目 2 片级联 = 20 串
I2C 地址0x1B两片共用总线（硬件地址固定，通过片选区分）
电压采样范围0.5V ~ 5.0V12-bit，分辨率 ~1.47mV
电流采样电阻0.5mΩ本项目选型
电流分辨率~24.4mA/LSB50mV 量程 @ 0.5mΩ
短路保护响应50μs200mV 阈值 ≈ 400A
短路恢复延时32ms硬件自动恢复尝试
看门狗周期~10s超时硬件复位 AFE
均衡方式内置 MOSFET 驱动交错控制，50% 占空比
休眠功耗μA 级WAKEUP 引脚拉低
NTC 类型10KΩ B=3435191 点 RT 表

本文基于 STM32F072 + SH367306 × 2 两轮车换电 BMS 量产代码（APP-V02.01.20）分析，所有代码引用均可追溯到源文件对应行号。

# stm32
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