SS8841 是率能半导体（LEADPOWER）推出的国产双通道 H 桥电机驱动芯片，引脚、功能对标 TI DRV8841，支持最高 40V 供电、单通道峰值 2.5A 输出，可驱动双路有刷直流电机或者一台双极步进电机，广泛应用于打印机、安防云台、办公设备、小型机器人等场景。芯片分为两个版本：SS8841T（过流锁死，需要复位恢复）、SS8841H（过流自动恢复），封装统一为带裸露焊盘的 eTSSOP‑28，依靠底部裸焊盘实现高效散热。

一、核心电气参数

参数	指标
电源电压 VM	8.2V‑40V，绝对最大 45V
单通道峰值电流	2.5A
单通道持续 RMS 电流	1.75A（24V，25℃，良好散热）
MOS 总导通电阻 Rds (on)	350mΩ（HS+LS，典型）
内置 LDO 输出	V3P3OUT，3.3V，最大负载 1mA
PWM 频率范围	0‑100kHz
工作温度	-40℃~85℃，结温上限 150℃
衰减模式	快衰减、慢衰减、混合衰减（15μs 固定总衰减时间，30% 快衰减 + 70% 慢衰减）
电流消隐时间	1.2μs，决定 PWM 最小导通时间

注意：2.5A 仅为峰值，不可长期持续；长时间工作必须做好 PCB 铺铜散热，裸露焊盘必须焊接接地并打热过孔，否则极易触发过热保护 TSD。

二、内部架构与工作原理

芯片内部集成两路完全独立 N‑MOS H 桥、电荷泵、3.3V LDO、控制逻辑、电流检测放大、保护单元深圳率能半...。

1. H 桥输出单元：全部采用 N 型 MOS，依靠 VCP 引脚外接 0.1μF 电荷泵电容提供上管栅极驱动电压；VMA、VMB 两路电源引脚 PCB 必须短接，接电机主电源 VM。
2. 电流检测与恒流斩波 电流计算公式：

ISENA、ISENB 引脚外接采样电阻R_ISEN，芯片内部将采样电压放大 5 倍，与 AVREF/BVREF 参考电压做比较，到达阈值后 PWM 关断输出实现电流斩波限流。

• AI1、AI0 / BI1、BI0 为 2bit 电流选择，提供四档电流：100%、71%、38%、0%（0% 时 H 桥关闭）。
• AVREF/BVREF 可以直接接芯片自带 3.3V 输出 V3P3OUT，也可外接 DAC，实现软件高细分驱动步进电机。

    3.衰减模式（DECAY 引脚）

• 低电平：慢衰减；绕组电流在两个下管内部续流，噪音低，但电流纹波大。
• 悬空：混合衰减（默认）；前 30% 时间快衰减，后 70% 慢衰减，兼顾噪音与电流稳定性，绝大多数场景推荐。
• 高电平：快衰减；电流回落快，适合高速运转，电机发热降低，但噪音相对更大。

DECAY 引脚同时控制两路 H 桥，两路不能独立设置不同衰减模式。引脚内部同时存在上拉 130kΩ、下拉 80kΩ，悬空时自动进入混合衰减模式深圳率能半...。

   想·4.模式控制引脚

• nSLEEP（17 脚）：高电平工作；低电平休眠，芯片大部分电路关闭，功耗极低，内部 100k 下拉，必须外部拉高芯片才能运行。
• nRESET（16 脚）：低电平复位，复位后清除内部故障状态。
• nFAULT（18 脚）：开漏输出，故障时拉低，必须外接上拉电阻；可给主控做故障检测。
• AIN1/AIN2、BIN1/BIN2：H 桥方向控制，内部下拉，逻辑表如下：

xIN1	xIN2	输出状态
0	0	两边输出低电平（刹车）
0	1	OUT1 低，OUT2 高（正向）
1	0	OUT1 高，OUT2 低（反向）
1	1	两边输出高电平（刹车）

三、全套保护机制

芯片内置四重保护，不同版本仅过流恢复逻辑存在差异。

1. UVLO 欠压锁定：VM 电压低于约 7.8‑8.2V，芯片全部输出关闭，电压回升后自动恢复。
2. OCP 过流 / 短路保护：独立于采样电阻，直接检测 MOS 管电流。
   • SS8841T：过流触发后锁死输出，nFAULT 拉低；必须重新上电或者 nSLEEP/nRESET 复位才可以解除故障。
   • SS8841H：触发过流关断，等待 3.5ms 后自动重试；如果故障依旧，循环重试。
3. TSD 过热关断：芯片结温超过约 170℃，全部 H 桥关闭，nFAULT 拉低；温度下降后自动恢复。
4. nFAULT 引脚统一提示故障，过流、过热都会将该引脚拉低，主控可以读取该信号做故障报警。

四、硬件设计要点

1. 电源与电容

• VMA、VMB 必须短接至 VM 电源；每个 VM 引脚就近放置 0.1μF 陶瓷去耦电容到 GND；主电源增加大容量电解 / 钽电容吸收电机大电流冲击。
• VCP 与 VM 之间接0.1μF 电荷泵电容，并联 1MΩ 电阻。
• V3P3OUT 引脚外接 0.47μF 电容到地，输出最大 1mA，仅可给 AVREF/BVREF 做参考源，不能驱动外部负载。

2. 电流采样电阻 R_ISEN

• 采样电阻接在 ISENA/ISENB 到 GND 之间；不需要限流可以直接接地。
• 电阻选型要求：低 ESL（低电感）贴片功率电阻，靠近芯片引脚布线。
• 举例：想要满量程 1.25A，VREF=1.25V，则 R_ISEN=0.2Ω；电阻功耗按 I_rms²×R 计算，电流大于 2A 建议选 0.1Ω 及以下电阻。

3.PCB 布局与散热

• eTSSOP‑28 裸露热焊盘PPAD 必须接地，打多个热过孔到内层 / 底层铺铜，这是芯片散热核心；如果焊盘虚焊，大电流下极易过热保护。
• 功率路径（VM、OUT1/OUT2、ISEN 到 GND）走线尽量粗、短，减小走线寄生电感。
• 模拟参考 AVREF/BVREF 走线远离功率大电流走线，避免干扰，防止电流控制精度变差。
• nFAULT 为开漏输出，必须外接上拉电阻（10k 推荐）到 3.3V。

五、应用场景

1. POS 热敏打印机：一路驱动走纸步进电机，一路驱动打印小车电机，恒流斩波降低电机发热。
2. 安防球机云台：驱动双路有刷电机，控制云台水平、垂直转动。
3. 办公自动化、游戏机、小型机器人，也可以驱动电磁阀、继电器线圈等感性负载。

步进电机：硬件原生支持整步、2 细分、4 细分；外接 DAC 给 AVREF/BVREF，软件可以实现更高细分。

六、调试常见坑点

1. 芯片上电完全不工作：优先检查 nSLEEP、nRESET，两个引脚必须拉高；芯片引脚内部下拉，悬空会进入休眠 / 复位。
2. nFAULT 持续报错：检查 VM 电压是否低于 UVLO 阈值；排查电机绕组是否短路；检查 PCB 裸焊盘是否焊接到位，芯片过热。
3. 电流达不到设定值：核对采样电阻阻值，AVREF 电压，确认 AI1/AI0 逻辑电平。
4. 电机噪音大：优先切换至混合衰减模式；检查 PWM 频率，调整电流斩波档位。
5. SS8841T 版本短路后电机不动：属于正常锁死保护，需要 nSLEEP 拉低再拉高复位芯片，或者断电重启。

七、版本选型建议

型号	特性	适用场景
SS8841T‑ET‑TP	过流锁死，需要复位恢复	设备有完整主控故障检测，需要确认故障后人工处理，不允许自动重试
SS8841H‑ET‑TP	过流自动 3.5ms 周期重试	无人值守设备，希望短路故障消失后自动恢复工作

SS8841 是国产替代 DRV8841 的方案，硬件引脚兼容，软件逻辑几乎完全一致，只需要注意 T/H 版本过流恢复逻辑差异。