SS6952T 是率能半导体（LEADPOWER）推出的单通道大电流 H 桥电机驱动芯片，专为有刷直流电机、步进电机单绕组、螺线管等感性负载设计，国产高耐压大电流驱动方案，面向办公设备、小型机器人、工业缝纫设备等运动控制场景。芯片型号完整料号为SS6952T‑ET‑TP，封装为 eTSSOP28 带裸露散热焊盘，卷带包装每包 3000 颗。

一、核心硬件参数

1. 功率与电气指标

参数项	规格
工作电压 VM	8.2V‑42V，最大绝对耐压 50V
峰值输出电流	7A（24V，25℃，散热条件良好）
MOS 导通电阻	HS+LS 典型值 150mΩ@24V/25℃
PWM 频率范围	0~100kHz
内置 LDO 输出	V3P3OUT，3.3V，最大输出 1mA，供外部参考电压
结温范围	-40℃~150℃；过温关断典型 170℃
过流保护阈值	典型 9A，独立硬件 OCP，不依赖采样电阻

芯片内部 H 桥全部采用 N 沟道 MOS 管，搭配电荷泵实现上管栅极驱动；必须外接 VCP 引脚 0.1μF 电容到 VM 引脚，同时并联 1MΩ 电阻，是芯片正常工作的关键外围器件。

2. 封装与热性能

封装 eTSSOP‑28，芯片底部裸露金属焊盘（PPAD），必须连接 PCB 地平面，搭配多颗热过孔散热。

• 结到环境热阻 RθJA：38.9℃/W
• 结到底部焊盘热阻 RθJC (bot)：1.4℃/W，裸焊盘散热能力极强，PCB 铜皮面积直接决定芯片可持续输出电流上限。
• 芯片最大功耗受环境温度、PCB 铺铜面积约束；在标准测试 PCB（76.1×114.3mm 环氧板）25℃环境，最大允许功耗 1.55W；独立小 PCB 板仅允许 0.8W 功耗。

二、控制接口与工作模式

芯片支持两套控制逻辑，由 MODE1 引脚选择，适配不同 MCU 控制方案。

1. MODE1=1：ENBL+PHASE（Phase/Enable）控制模式

• ENBL：输出使能；PHASE：方向；DECAY 决定禁止使能时的输出状态

DECAY	ENBL	PHASE	OUT1	OUT2	功能说明
0	0	X	L	L	刹车，两输出对地短路
1	0	X	Z	Z	高阻滑行
X	1	1	H	L	正向输出
X	1	0	L	H	反向输出

2.MODE1=0：IN1+IN2 模式（传统双输入控制） 兼容通用 H 桥逻辑，IN1、IN2 直接控制输出：

兼容通用 H 桥逻辑，IN1、IN2 直接控制输出：

IN1	IN2	OUT1	OUT2	状态
0	0	L	L	刹车
0	1	L	H	反转
1	0	H	L	正转
1	1	H	H	输出短路，禁止使用

3. 电流调节功能

采用外部 ISEN 采样电阻做电流检测，内部放大器增益 A=5 倍。 满量程斩波电流计算公式：

• VREF 引脚可以接芯片内部 3.3V 输出 V3P3OUT，也可以外接 DAC 实现可变参考电压，用于步进电机微步控制。
• I1、I0 两位数字输入实现 4 档电流缩放：

  I1	I0	输出电流比例
  1	1	100%
  0	1	71%
  1	0	38%
  0	0	0%（H 桥关闭）

示例：Risen=0.2Ω，VREF=1.5V，满量程电流 = 1.5/(5×0.2)=1.5A；71% 档位输出 1.065A，38% 档位输出 0.57A。 ISEN 引脚若不需要限流，可直接接地；大电流场景推荐选用低电感功率采样电阻，电流大于 4A 建议选用≤0.1Ω 电阻。

4.三种衰减模式（DECAY 引脚选择）

固定总关断衰减时间 15μs，支持快衰减、慢衰减、混合衰减，适配直流电机、步进电机不同噪声、电流纹波需求。

• DECAY = 低电平：慢衰减，下管续流，电流下降慢，适合降低电机噪声；
• DECAY = 高电平：快衰减，H 桥反向续流，电流快速跌落；
• DECAY 悬空：混合衰减；先快衰减，后切换慢衰减；MODE3 引脚配置快衰减占比：MODE3=1 快衰占 38%，MODE3=0 快衰占 50%。

DECAY 引脚内置 130k 上拉、80k 下拉电阻，悬空自动进入混合衰减模式。

5. 休眠、复位与故障输出

1. nSLEEP：休眠引脚，高电平工作，低电平休眠。休眠时 H 桥、电荷泵、内部 LDO 全部关闭，静态功耗极低；从休眠唤醒需要约 1ms 启动时间，引脚内部约 100k 下拉，必须外部拉高芯片才能工作深圳率能半...。
2. nRESET：复位，低电平复位芯片内部逻辑，关闭 H 桥。同样带内部下拉，需要外部上拉到高电平。
3. nFAULT：开漏故障输出引脚，必须外接上拉电阻；发生过流、过温故障时拉低。

• MODE2 引脚配置 OCP 过流保护行为：
• MODE2=1：OCP 触发关断，等待约 3.5ms 自动重试；
• MODE2=0：OCP 锁死，故障之后必须复位（nSLEEP/nRESET 或者重新上电）才能恢复工作。

6. 消隐时间

内部固定 1.2μs 电流检测消隐时间，H 桥开启之后 1.2μs 内忽略采样电阻信号，避免开关尖峰误触发限流，该时间同时限定 PWM 最小周期。

三、全套保护机制

芯片内置四重硬件保护，全部通过 nFAULT 引脚输出故障信号深圳率能半...。

1. UVLO 欠压锁定：VM 电压低于约 7.8‑8.2V 阈值，芯片全部功能关闭；电压恢复自动重启。
2. OCP 过流 / 短路保护：独立硬件检测 H 桥 MOS 管电流，与采样电阻无关；绕组短路、输出对电源 / 对地短路都会触发 OCP，由 MODE2 决定是否自动重试。
3. TSD 热关断：芯片结温超过典型 170℃，关闭 H 桥；温度回落自动恢复。
4. 故障输出 nFAULT，开漏输出，外部上拉，MCU 可读取故障状态。

四、典型外围电路设计要点

1. 电源去耦

• VM 引脚就近放置 0.1μF 低 ESR 陶瓷电容；系统增加大容量电解 / 钽电容做储能，吸收电机大电流冲击；所有 VM 引脚 PCB 必须物理连通。
• VCP 与 VM 之间接 0.1μF 陶瓷电容 + 1MΩ 电阻，靠近引脚布线。
• V3P3OUT 引脚外接 0.47μF 电容到地，给内部 3.3V 稳压输出滤波。

2.采样电阻 Risen

• 放在 ISEN 引脚和 GND 之间，走线尽量短粗，降低寄生电感；电阻功率按照 I²R 留足余量；

3.PCB 布局关键

• 芯片底部裸露焊盘 PPAD，必须通过大量热通孔连接到地层，大面积铺铜散热，直接决定持续输出电流。
• VM、OUT1、OUT2、ISEN 属于大电流回路，走线加宽，减少寄生电阻。
• 功率回路和小信号逻辑回路分开布线，采样电阻地线单点接地，避免功率回路干扰 VREF 参考信号。
• nFAULT 为开漏输出，外接上拉电阻（10k 左右）接 3.3V。

五、典型应用场景

• 办公设备：打印机、扫描仪电机驱动；
• 工业设备：工业缝纫机执行机构、小型自动化设备；
• 机器人：小型机器人关节直流电机、推杆电机；
• 其他感性负载：电磁阀、螺线管驱动；
• 双极步进电机的单绕组驱动（两颗 SS6952T 驱动一整个两相步进电机）。

六、优劣势总结

优势

1. 国产单 H 桥方案，耐压高（最大 50V），峰值 7A 输出，导通电阻 150mΩ，相比很多同类芯片导通损耗更低；
2. 接口灵活，支持 Phase‑Enable 与 IN1‑IN2 两套逻辑；快 / 慢 / 混合衰减，可配置 OCP 自动恢复；
3. 完整保护机制，内置 3.3V LDO，可直接给 VREF 提供参考，简化外围；
4. eTSSOP28 裸焊盘封装，散热能力强，适合大电流应用。

设计局限与注意点

1. 需要外接电流采样电阻实现限流，相比部分内置采样芯片会增加 BOM 成本；
2. 封装引脚较多 eTSSOP28，PCB 占用面积大于 8 脚封装驱动；
3. 持续输出电流高度依赖 PCB 散热，不能直接按 7A 峰值作为长期工作电流，必须评估芯片功耗与温升；
4. nSLEEP、nRESET 引脚自带内部下拉，硬件上必须拉高，否则芯片不会启动。

替代对标：可对标 TI DRV8870、DRV8872 等单 H 桥驱动，更高耐压与峰值电流，适合对成本敏感的国产替代项目。