典型应用电路

BOM 极简

  • 电流检测:Rcs 一颗 1 % 电阻

  • 电压反馈:RFBU、RFBD 两颗 1 % 电阻

  • VCC 电容:10 µF/25 V X7R

  • 输出电容:470 µF ×1(低 ESR)

  • 无 Y 电容设计,传导 EMI 余量 > 6 dB

管脚封装与定义(SOP-7)

Pin 名称 描述
1 FB 辅助绕组分压输入,2 V 基准,内置线补
2 CS 原边电流检测,500 mV 阈值,500 ns LEB
3 VCC 芯片电源 9-22 V,内部 15.2 V 启动,4.9 V UVLO
4 E 内置 BJT 发射极,接功率地
5/6 C 内置 BJT 集电极,接变压器原边
7 GND 信号地 + 功率地

内部框图:一颗芯片 = 控制器 + BJT + 保护器

关键模块

  • QR 控制:谷底导通,最高 55 kHz,效率提升 2 %

  • 线补:随负载增大自动抬高 FB 基准,补偿电缆压降 3 %/6 %/9 % 可选

  • CC 算法:原边 Ipks 采样 + 退磁时间计算,恒流精度 ±5 %

  • CV 算法:辅助绕组平台电压与 2 V 基准比较,恒压精度 ±3 %

电气亮点速览

参数 数值 备注
启动电流 2 µA 1 MΩ 启动电阻即可,待机 < 75 mW
工作电流 450 µA VCC 电容 10 µF 足够
电流限制 500 mV Rcs = 0.5 Ω → Ipks = 1 A
过温保护 145 ℃ 20 ℃ 迟滞,自恢复
电缆补偿 可调 增大 FB 分压电阻即可增强
传导 EMI 余量 > 6 dB 抖频 + 谷底导通

调试锦囊

  1. CC 点校准
    IOUT = 0.5 × 500 mV × NPS / Rcs
    NPS = Np/Ns,Rcs 1 % 精度即可

  2. 线补调节
    增大 RFBU、RFBL 阻值,线补电流 60 µA 自动抬升 FB 电压

  3. QR 变压器
    漏感 < 5 µH,谐振频率 40-55 kHz,避免谷底错位

  4. EMI 优化
    C/E 脚铺铜 < 10 mm × 10 mm,RCD 吸收并 100 pF 小电容,抑制振铃

实测效率(Demo 板 5 V/1 A)

输入电压 115 VAC 230 VAC
平均效率 81.2 % 81.9 %
10 % 负载 78.5 % 79.1 %
待机功耗 68 mW 74 mW
输出纹波 60 mV 65 mV
芯片温升 38 ℃ 35 ℃
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