一、产品整体概述

LTK8324 为单通道全集成 H 桥电机驱动，ESOP‑8 封装，内置四颗 N‑MOS 功率管；电机供电 VM2.5‑12V；高低侧 MOS 总导通电阻典型 180mΩ；持续输出 2.5A，峰值电流 3.9A；INA、INB 双逻辑输入，支持 PWM 调速；具备前进、后退、短路刹车、高阻待命休眠；休眠模式典型电流 1μA；内置电荷泵；集成 VM 欠压 UVLO、过温 TSD 热关断，故障自动恢复；可驱动有刷直流电机，也可驱动一路步进电机绕组；适用于小家电、玩具、电子锁、小型机器人。

版本对比：对比 SS6285L，LTK8324 耐压更低（最高 12V），ESOP‑8 封装，休眠条件特殊，INA&INB 同时为低维持≥1ms 才进入休眠。

二、五大核心差异化硬件优势

‑ 完整 H 桥集成，内置电荷泵 片内集成 H 桥四颗 N 沟 MOS，内置电荷泵给高侧 MOS 提供驱动；无需外接功率管与续流器件；总导通电阻典型 180mΩ，支持 2.5A 连续工作、3.9A 峰值。

‑ 双输入逻辑，带低功耗休眠模式 INA、INB 两个逻辑输入；INA、INB 同时拉低并保持≥1ms 进入休眠，休眠电流典型 1μA；任意输入拉高≥5μA 唤醒芯片；支持最高 100kHz PWM 调速。

‑ 四种工作模式：前进、后退、短路刹车、高阻休眠待命。

‑ 内置完备自动恢复保护

1. VM 欠压 UVLO：上升 2.45V 开启，下降 2.30V 关断，150mV 迟滞；
2. 过温 TSD：结温 150℃关断，降温 40℃自动恢复输出；

保护动作后自动重试，无故障标志输出引脚。

‑ ESOP‑8 贴片封装，外围极简 VM 引脚就近接滤波电容，MCU 直接驱动 INA、INB，外围器件少。

三、内置功能与重要限制

✅内置功能

1. 集成 N‑MOS H 桥 + 内部电荷泵；
2. INA/INB 逻辑控制：正转、反转、刹车、休眠待命；支持最高 100kHz PWM 调速；
3. 低功耗休眠模式，休眠典型 1μA；
4. VM 欠压 UVLO 保护、芯片过温 TSD 保护，故障自动恢复；
5. 内置硬件死区 1μs，防止桥臂直通。

⚠️重要限制

1. VM 最高 12V，不能用于 24V 系统；
2. 休眠条件特殊：INA、INB 同时低电平要维持≥1ms 才会进入休眠，瞬时同时低不会休眠；
3. 无硬件过流保护，无 nFAULT 故障输出引脚；堵转下会反复热关断‑自动重启，需要系统上层做堵转判断；
4. 逻辑输入耐压最大 5.5V，MCU IO 不可超过该电压。

四、引脚功能定义（ESOP‑8）

表格

引脚号	引脚名	I/O	功能简述
1	NC	‑	空脚，悬空
2	INA	I	H 桥逻辑输入 A，内置约 98kΩ 下拉
3	INB	I	H 桥逻辑输入 B，内置约 98kΩ 下拉
4	VM	Power	电机功率电源 2.5‑12V，就近接 0.1μF 滤波电容
5	OUTB	O	H 桥输出 B，接电机一端
6	AGND	GND	模拟信号地
7	PGND	GND	功率地
8	OUTA	O	H 桥输出 A，接电机另一端

输入输出逻辑真值表 | INA | INB | OUTA | OUTB | 工作模式 | |---|---|---|---|---| | 0 | 0 | High‑Z | High‑Z | 待命，持续≥1ms 进入休眠 | | 0 | 1 | L | H | 电机后退 | | 1 | 0 | H | L | 电机前进 | | 1 | 1 | L | L | 短路刹车 |

五、外围元器件标准化选型规范

1. VM 电源：VM 引脚并联大容量电解电容 + 0.1μF 陶瓷电容紧靠引脚，吸收电机反向能量，应对启动冲击电流。
2. 电机负载：直接接 OUTA 与 OUTB 之间，芯片内置 MOS 体二极管实现续流，无需外接续流管。
3. 逻辑输入：INA、INB 由 MCU IO 驱动，逻辑高≥1.27V，输入电压不能超过 5.5V。

六、PCB 布线硬性规范

1. VM 的滤波电容紧贴 VM‑PGND 引脚。
2. OUTA、OUTB 到电机功率走线尽量短、加宽，降低大电流压降。
3. 功率地 PGND 与模拟地 AGND 单点汇合，分开功率回路与逻辑信号线。
4. ESOP‑8 芯片需要铜皮散热，保障 2.5A 连续电流的散热性能。

七、主流应用场景

小家电、玩具、电子电磁锁、小型机器人，也可驱动步进电机单绕组。