SS6285M 是率能半导体（LEADPOWER SEMICONDUCTOR）推出的单通道 H 桥 DC 双向有刷电机驱动芯片，封装 SOP‑8，最大持续输出 5.5A，耐压最高 33V，主打高集成、大电流、多硬件保护，广泛用于电子锁、玩具、小型机器人、自动阀门等直流电机控制场景。

一、核心参数概览

参数	指标
驱动通道	1 路 H 桥，驱动单路有刷直流电机
工作电压	3.0V‑33V
持续输出电流	5.5A
待机电流	＜1μA
导通内阻 Rds (on)	典型 80‑110mΩ
封装	SOP‑8，RoHS 合规，引脚框架 100% 无铅
保护功能	过热保护、过流钳位、短路保护、内置续流二极管

低待机电流非常适合电池供电设备，休眠状态几乎不消耗电量，延长电池续航；低导通内阻降低大电流下的发热与压降，适合堵转、大负载工况。

二、引脚定义说明

引脚号	引脚名	类型	功能说明
1	BI	输入	后退控制输入脚
2	FI	输入	前进控制输入脚
3	GND	电源	功率与信号公共地
4	VCC	电源	功率电源输入
5、6	FO	输出	前进输出，两个引脚并联接电机一端
7、8	BO	输出	后退输出，两个引脚并联接电机另一端

5‑6、7‑8 为并联输出引脚，目的是分流，降低 PCB 走线与芯片引脚发热，使用时两个同功能引脚都需要焊接，电机直接接 FO 与 BO 两端即可，不需要外接续流二极管，芯片内部已经集成感性负载泄放二极管，吸收电机反向电动势，简化外围电路 BOM 成本。

三、控制逻辑（真值表）

芯片仅依靠 FI、BI 两个 IO 电平就可以完成电机正转、反转、紧急刹车、停机，普通单片机 IO 可直接驱动，支持 PWM 调速控制。

FI	BI	FO	BO	工作状态
H	L	H	L	电机前进（正转）
L	H	L	H	电机后退（反转）
H	H	L	L	紧急刹车（绕组短接制动）
L	L	高阻开路	高阻开路	停机待机，待机电流＜1uA

1. 正反转：FI、BI 单独拉高，实现电机转向切换；
2. 紧急刹车：FI、BI 同时置高，电机两端短接，快速制动；
3. 停机模式：FI、BI 全部拉低，输出高阻，芯片进入低功耗待机状态。

电注意：VCC 上电完成后，等待约 3ms，再给 FI/BI 输入控制电平，上电阶段不要提前输入高电平，避免误动作。

四、硬件保护机制

全部为片内硬件保护，不需要软件干预，故障自动响应，提升整机可靠性：

1. 过热保护 OTP：结温约 160℃触发关断输出；温度回落至 130℃左右自动恢复工作，防止长时间大电流烧毁芯片。
2. 过流钳位 + 短路保护：堵转、输出短路时限制输出电流，避免 MOS 管损坏；输出对地 / 电源短路直接切断功率通路。
3. 内置续流二极管：电机属于感性负载，关断瞬间会产生反向冲击电压，片内二极管直接泄放尖峰，省去外部二极管。
4. 紧急停止硬件刹车：通过引脚电平直接实现短接刹车，响应速度快，适合门锁、阀门需要快速停转的场景。

五、典型应用场景

1. 电磁门锁 / 指纹锁：驱动锁舌电机，需要短时大电流、快速刹车；
2. 玩具模型（遥控车、机器人）：电池供电，低待机功耗，承受电机堵转冲击；
3. 自动阀门、小型执行器：宽电压 3‑33V 适配不同电源；
4. 无线充电设备小型执行机构。

六、PCB 与外围设计要点

1. VCC 电源引脚就近放置滤波电容（电解 + 陶瓷电容），吸收电机启动瞬间大电流，抑制电压尖峰；
2. FO、BO 输出并联引脚必须同时焊接，功率走线尽量加宽，降低线路压降；
3. GND 功率地走线加粗，减少地弹噪声，提升抗干扰能力；
4. BI、FI 逻辑输入引脚不要悬空，防止漏电流造成误触发，建议接单片机 IO 口，IO 闲置时输出低电平；
5. 大电流工况芯片发热明显，SOP8 封装可以预留散热铜皮，辅助散热。

七、芯片优势与局限

优势

• 单芯片实现完整 H 桥驱动，外围器件极少；
• 宽电压 3‑33V，5.5A 大持续电流，堵转保护完善；
• 微安级待机，电池设备友好；
• 国产芯片，供货可控，符合 RoHS 无铅标准。

局限

• 仅单路电机驱动，一台芯片只能驱动 1 个有刷电机；
• SOP8 封装散热能力有限，持续满负载 5.5A 工作时需要做好 PCB 散热处理。

八、总结

SS6285M 是一颗面向消费类硬件的高性价比单 H 桥电机驱动，把功率 MOS、续流二极管、全套保护电路全部集成，只需要两个控制 IO 即可完成电机全部动作，BOM 简单、抗干扰强。特别适合门锁、玩具、小型执行机构这类不需要复杂算法，追求稳定可靠、低成本的电机控制项目。