SS8837T 是率能半导体推出的单通道 N 沟道 H 桥直流电机驱动芯片，采用 DFN2×2‑8L 微型封装，面向电池供电、空间受限的低压运动控制设备，可直接 pin‑to‑pin 兼容替代 TI DRV8837，是消费类微型电机国产化驱动方案的代表器件。

一、芯片整体概述

该芯片内部完整集成 H 桥功率 MOSFET、电荷泵栅极驱动电路、逻辑控制单元以及全套硬件保护模块，可驱动一路有刷直流电机，也可以驱动螺线管等感性负载。

 内部全部采用 N 沟道 MOS 管搭建 H 桥，依靠内置电荷泵产生上管栅极驱动电压，不需要外部升压元件；将功率管、续流功能、保护电路全部集成，大幅减少外围器件数量，降低 BOM 成本与 PCB 布板难度。

• 最大输出电流：1.8A
• 导通总电阻（高侧 + 低侧）：260mΩ，导通损耗低，发热小
• 封装：DFN2×2‑8L，带底部散热焊盘，体积小巧，适合微型模组

二、核心电气参数

供电架构：双独立电源

芯片把电机功率电源 VM和逻辑控制电源 VCC完全分开，适配低压 MCU 场景。

• VM（电机电源）：0‑12V，为电机绕组提供功率；建议搭配 0.1μF 陶瓷电容 + 4.7μF 以上大容量电容滤波
• VCC（逻辑电源）：1.8‑12V，给芯片内部逻辑电路供电；最低支持 1.8V 逻辑电平，可直接对接 3.3V/1.8V 低压 MCU IO 口；必须搭配 0.1μF 旁路电容。

硬件设计要点：上电时 VCC 时序不能滞后 VM，掉电时 VM 不能先于 VCC 掉电；当 VM 与 VCC 电压接近时，可将两者短接共用电源。

功耗与休眠特性

nSLEEP 为休眠控制引脚，低电平进入休眠，高电平正常工作；休眠状态最大电流仅 120nA，几乎不消耗电池电量，非常适合电池供电设备待机场景；引脚内部自带下拉电阻，悬空默认进入休眠模式。

三、引脚功能定义（DFN2×2‑8L）

引脚编号	引脚名称	类型	功能说明
1	VM	电源	电机功率电源输入
2	OUT1	输出	电机绕组输出端 1，接电机一端
3	OUT2	输出	电机绕组输出端 2，接电机另一端
4	GND	地	芯片功率地，必须可靠接地，底部焊盘 PPAD 也接 GND
5	IN2	输入	PWM 控制输入 2，接 MCU IO
6	IN1	输入	PWM 控制输入 1，接 MCU IO
7	nSLEEP	输入	休眠使能，高电平工作，低电平休眠，内部下拉
8	VCC	电源	逻辑控制电源输入

四、控制逻辑（IN‑IN PWM 模式）

芯片采用 IN1/IN2 标准 IN‑IN 控制接口，通过引脚电平组合实现电机正转、反转、滑行、刹车；同时支持 PWM 调速，在转向确定后，对其中一路输入施加 PWM 信号，即可调节电机转速 0‑100% 占空比无级调速。

nSLEEP	IN1	IN2	OUT1	OUT2	工作状态
0	任意	任意	高阻 Z	高阻 Z	休眠滑行，芯片关闭
1	0	0	高阻 Z	高阻 Z	滑行，电机自由转动
1	1	0	高 H	低 L	电机正转
1	0	1	低 L	高 H	电机反转
1	1	1	低 L	低 L	短路刹车，电机快速制动

五、内置硬件保护机制

全部为硬件自动保护，故障发生后芯片直接关断输出，不需要软件干预，提升设备可靠性。

1. VCC 欠压锁定 UVLO：逻辑电源电压过低，芯片自动关断输出，防止逻辑误动作；
2. 过流保护 OCP（含短路保护）：电机堵转、输出短路时，检测到过大电流立刻关闭 H 桥输出，避免烧毁芯片和电机；
3. 热关断 TSD：芯片结温过高，自动切断输出，降温之后可以自动恢复。

注意：VM 电机电源没有欠压保护，系统需要外部电路监控电机供电电压。

六、典型应用场景

针对低压电池供电、空间紧凑的设备，主要应用包括：

1. 影像设备：摄像机、DSLR 单反镜头对焦驱动；
2. 消费电子：玩具、指纹锁、便携小家电；
3. 智能设备：微型机器人、安防小型云台；
4. 医疗设备：便携式小型医疗器械执行机构；
5. 其他：电磁螺线管等感性负载驱动。

七、方案优势与国产化替代价值

1. 引脚兼容：硬件引脚、功能逻辑和 DRV8837 完全兼容，可直接替换，无需修改 PCB；最大电流 1.8A，导通电阻 260mΩ，性能对标海外型号；
2. 双电源优势：逻辑电源最低支持 1.8V，适配新一代低电压 MCU；
3. 极低休眠电流120nA，对电池续航友好；
4. 外围极简，仅需要几颗滤波电容，不需要续流二极管，节省 PCB 面积；
5. 全套硬件保护，提升整机抗故障能力，降低软件开发负担。

八、硬件设计注意事项

1. VM 与 VCC 电源引脚就近放置滤波电容，电容尽可能靠近芯片引脚；
2. 底部散热焊盘 PPAD 必须可靠接地，提升散热能力；
3. nSLEEP 引脚不要悬空，若一直工作需要拉高到 VCC；
4. 严格遵守上电时序，VCC 不能晚于 VM 上电；
5. OUT1、OUT2 走线尽量短粗，减少功率回路寄生电感。

总结

SS8837T 是率能半导体推出的国产单通道 H 桥直流电机驱动芯片，DFN2×2‑8L 微型封装，可直接兼容替代 DRV8837，面向电池供电、空间紧凑的低压运动控制产品。

芯片内部集成 N 沟道 MOS 管 H 桥、电荷泵栅极驱动电路，最大输出电流 1.8A，桥回路总导通电阻 260mΩ，发热低。采用双独立电源架构：电机电源 VM 为 0‑12V，逻辑电源 VCC 支持 1.8‑12V，能够直接对接 1.8V 低压 MCU，无需电平转换。