Note：常规的ESD相关的一些基础介绍我就不会做多阐述，只要是做芯片可靠性的工程师，对于基础的一些内容都有了解或者百度一搜就搜到哈

现在借平台当做一个笔记记录的工具，感兴趣的有疑惑的随时留言~

目录

简介

（1）测试设备：

（2）测试过程：

（3）失效机理：

（4）TLP预估HBM

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简介

先附带ESD放电电流时间图：

HBM 顾名思义 人体放电模型，就是人体接触到地形成放电通路，他和CDM不同，相对于电容充电放电的CDM能量和时间都较短，对弈Current 2KV的话就是1.3A（2KV/1.5K电阻）

（1）测试设备：

MK2 MK4 最大区别就是支持的通道数，较少管脚就MK2 价格便宜

（2）测试过程：

①

All other pins to power ---pin to pin

All other pins to GND---pin to pin

IO to IOs---pin to pins

这是常规测试方法，测试严苛且覆盖率比较全；

对于power和ground，测试的时候 pin to pin，量测IV的时候是pin to pins

对于IO，因为数量较多，测试的时候就是pin to pins

②

量测IV的过程是 3次，前后2次，中间没测试完成一个也会补充量测

（3）失效机理：

就是热效应，电流损伤

（4）TLP预估HBM

对于HBM预估 对于单个管脚的话，可以简单用TLP来测试能力

其实就是看It2的电流✖1.5KV就是HBM能够承受的电压

第一段波形为接近开路

第二段回折，表示ESD管导通

第三段为ESD导通之后表现为阻性

第四段为ESD管二次雪崩