NSG2113是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道NSG2113的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。NSG2113内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。NSG2113采用宽体SOIC16（W）封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

NSG2113 可替代IRS2113

主要特征

● 悬浮绝对电压 700V

● 兼容3.3V、5V和15V 输入逻辑

● 欠压（UV）保护

● dV/dt误动作防止功能

● VS负偏压能力达-9V

● NSG2113周期性边缘触发关断逻辑

● 带SD关断功能

● NSG2113逻辑和电源地±5V 偏移

● NSG2113双通道正逻辑独立输入输出

NSG2113是一款适用于各种功率转换、电机控制、开关电源等领域的高性能驱动器。它可以提高电路的效率、可靠性和安全性，降低系统的成本和体积。