禾纳半导体的电源管理芯片AET3152AP不含卤素和锑，符合Rohs标准，应用在交换机切换，便携式/台式机中的电源管理等，可pin to pin替代TDM3307或TDM2307.

AET3152AP 封装为PDFN3030 ，最小包装数为5000pcs

AET3152AP工作温度范围为，-55摄氏度到+125摄氏度

泰德TDM3307A是一款P沟道增强型MOSFET，以下是泰德TDM3307的主要特性：

类型 P沟道

漏源电压（Vdss） 30V

连续漏极电流（Id） 24A

导通电阻（RDS(on)） 18mΩ@4.5V,24A

耗散功率（Pd）2.5W

栅极电荷量（Qg）52nC@10V

输入电容（Ciss@Vds）3.067nF@15V

这些参数表明泰德TDM3307适用于需要高效率和低电阻的功率应用，例如负载开关或PWM应用。它的紧凑型DFN封装也使得它适合在空间受限的应用中使用。AET3152AP可替代TDM3307或TDM2307.以下是AET3152AP的部分特性：

禾纳代理原装正品,详细资料请联系代理提供。