高速接口芯片（如 PCIe、USB4、MIPI、SerDes 等）是算力、存储、消费电子的核心部件，设计门槛极高。

在台积电先进制程（N7/N6 等）下，信号完整性（SI）与电源完整性（PI） 直接决定芯片能否达到速率要求。

一、高速接口芯片的核心设计难点

速率高，Margin 极小：稍有干扰就会导致误码

先进制程噪声敏感：N7/N6 噪声耦合更复杂

电源压降要求严苛：动态 IR Drop 控制极难

封装与板级协同：芯片 - 封装 - 系统必须联合设计

二、SI/PI 设计关键解决方案

1. 前期架构与 Floorplan 规划

高速区域独立划分，隔离噪声

电源域清晰，减少串扰

I/O、PLL、模拟模块合理布局

2. 信号完整性优化

阻抗控制、传输线优化

串扰分析与屏蔽设计

均衡、去加重等电路策略

台积电先进制程互连模型精准使用

3. 电源完整性优化

去耦电容规划与 placement

动态 IR Drop 仿真与修复

网格电源、多点供电策略

噪声仿真与时序协同优化

三、我们的高速接口服务能力

高速 SerDes/PCIe/USB/MIPI 等接口设计经验

台积电 N7/N6 先进制程 SI/PI 全流程设计

优质先进制程流片资源，保障投片

从前端到后端、封装协同、流片量产一站式服务

四、结语

高速接口芯片的成功，是 SI/PI、工艺、资源三者共同作用的结果。

先进设计能力 + 台积电先进制程资源，才能真正跑满速率、稳定量产。

如有高速接口芯片项目需求，欢迎联系我们。

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