• 参考：用Cadence Virtuoso IC617仿真工艺库参数 https://blog.csdn.net/weixin_44115643/article/details/119062516
  图中s和d接反了，导致计算错误，我根据电路图仿真重新计算一下，以下结果都是我按卡西欧计算器按出来的

PMOS计算过程

$$V_{SG}=0.8V,V_{SD}=1V,I_{DS}=6.4186\mu A$$
$$V_{SG}=0.8V,V_{SD}=1.5V,I_{DS}=6.9392\mu A$$

$$V_{SG}=1V,V_{SD}=1V,I_{DS}=15.273\mu A$$
$$V_{SG}=1V,V_{SD}=1.5V,I_{DS}=16.258\mu A$$

MOSFET电流方程

$$I_{DS}=\frac{1}{2}{\mu }_p{C}_{ox}\frac{W}{L}{\left(V_{GS}-|V_{Tp}|\right)}^2(1+{\lambda }_p{V}_{DS})$$

$$K_p={\mu }_p{C}_{ox}$$

$$得到I_{DS}=\frac{1}{2}{K}_p\frac{W}{L}{\left(V_{GS}-|V_{Tp}|\right)}^2(1+{\lambda }_p{V}_{DS})$$

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计算过程

(1) 代入数据

$$V_{SG}=0.8V,V_{SD}=1V,I_{DS}=6.4186\mu A$$
$$V_{SG}=0.8V,V_{SD}=1.5V,I_{DS}=6.9392\mu A$$

$$6.4186\times 10^{-6}=\frac{1}{2}{K}_p\frac{W}{L}(0.8-|V_{Tp}|{)}^2(1+{\lambda }_p\times 1)\text{式子 (1)}$$

$$6.9392\times 10^{-6}=\frac{1}{2}{K}_p\frac{W}{L}(0.8-|V_{Tp}|{)}^2(1+{\lambda }_p\times 1.5)$$

得出：

$$6.4186/6.9392=(1+{\lambda }_p\times 1)/(1+{\lambda }_p\times 1.5)$$

$${\lambda }_p=-\frac{6.4186-6.9392}{6.4186\ast 1.5-6.9392\ast 1}$$

$${\lambda }_p\approx 0.194（用V_{SG}=1V计算得到{\lambda }_p\approx 0.148）$$

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(2) 代入数据

$$V_{SG}=0.8V,V_{SD}=1V,I_{DS}=6.4186\mu A$$

$$V_{SG}=1V,V_{SD}=1V,I_{DS}=15.273\mu A$$

$$6.4186\times 10^{-6}=\frac{1}{2}{K}_p\frac{W}{L}(0.8-|V_{Tp}|{)}^2(1+{\lambda }_p\times 1)$$

$$15.273\times 10^{-6}=\frac{1}{2}{K}_p\frac{W}{L}(1-|V_{Tp}|{)}^2(1+{\lambda }_p\times 1)$$

得出：
$$6.4186/15.273=(0.8-V_{Tp}{)}^2/(1-V_{Tp}{)}^2$$

设置

$$A=\sqrt{(}\frac{6.4186}{15.273}),|V_{Tp}|=\frac{A-0.8}{A-1}$$

$$|V_{Tp}|\approx 0.431V（用V_{SD}=1.5V计算得到|V_{Tp}|\approx 0.423V）$$

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(3) 确定

$${\lambda }_P=0.194,V_{TP}=0.431V，I_{DS}=\frac{1}{2}{K}_P\frac{W}{L}(V_{SG}-V_{Tp}{)}^2(1+{\lambda }_p{V}_{SD})$$

$$W=220\mu m,L=180\mu m$$

$$V_{SG}=0.8V,V_{SD}=1V,I_{DS}=6.4186\mu A$$

$$K_p\approx 64.6\frac{\mu A}{V^2}$$

• $V_{SG}=0.8V$
  

• $V_{SG}=1V$
  

• 打印直流参数，看来还是有差距的
  

• 有兴趣继续研究beff和betaeff
  MOS管参数μCox得到的一种方法
  https://blog.csdn.net/qq_46579389/article/details/121505516
  （十六) 基于cadence 617 手算参数 μnCox,λ ,VTH仿真
  https://zhuanlan.zhihu.com/p/649679953
  https://blog.csdn.net/Bao_xue/article/details/123706721
  Cadence仿真笔记：MOS的参数名称解释
  https://zhuanlan.zhihu.com/p/591764941
  模拟IC设计 如何得到手算参数（比较详细）

PMOS理论部分

• Jacob Baker的书CMOS circuit design, layout, and simulation中设置为$V_{SG}$和$V_{SD}$，这样都是正数，$V_{TP}$也是绝对值取正数，这样就和NMOS计算公式保持一致了，在满足开启条件下，$V_{SD}$大小也是可以任意调节得，越大越接近恒流源

• Jaeger的书Microelectronic circuit design中是负数定义，写得比较简单但是原理讲清楚了，负电压$V_{GS}$是为了吸引反型层空穴（正电荷p-type)
  

• 拉扎维的书讲述了gate-drain电压的相对大小，忘记在哪看到箭头指向是电流流向，PMOS实际电流流向是从S到D，推断图中ID应该是负数
  
• 和NMOS有关的图，有点抽象