台积电已量产2纳米，用于即将发布的iPhone17里的A19Pro处理器，这凸显出台积电在芯片工艺方面的领先优势，不过日前有消息指日本芯片企业Rapidus将在明年量产2纳米，技术竟然反超了台积电，这对台积电来说无疑是巨大威胁。

据悉日本芯片企业Rapidus的2纳米工艺的晶体管密度达到237.31MTr，台积电的2纳米工艺则是236.17MTr，由此日本芯片的2纳米工艺稍微超过了台积电；值得注意的是命名18A的Intel新工艺在晶体管密度方面更加落后，仅有184.21MTr。

业界人士指出从28纳米工艺之后，其实几大芯片制造企业的先进工艺都相当于等效工艺，他们的工艺提升不再是栅极间距的缩减，毕竟栅极间距缩减到一定程度之后绝缘性能下降，但是芯片制造企业和芯片企业都需要营销噱头，因此此后的芯片工艺都可以说是等效工艺。

当时台积电、三星和Intel三大芯片制造企业之中，Intel对芯片制造工艺的命名较为保守，而台积电和三星对于芯片工艺命名则激进很多，Intel在14纳米工艺之后，新工艺研发一再延迟，而台积电、三星则一路从14/16纳米到10纳米，再到7纳米不断升级，然而业界人士却指出台积电和三星的7纳米工艺在晶体管密度方面比Intel的10纳米工艺还要低，由此质疑台积电和三星玩数字游戏。

Intel眼见着在芯片工艺研发方面赶不上台积电和三星，后来也对自己的工艺命名改变了规则，7纳米工艺被命名为Intel 4工艺，4纳米工艺被命名为Intel 20A，而Intel 18A工艺不知具体多少了，业界人士认为18A或是3纳米或是2纳米。

Intel本来是计划同时研发20A、18A工艺的，不过随着它自身的业绩出现大幅衰退，已无力同时研发两种工艺，前CEO基辛格也因为业绩的衰退而在去年底退休，由此Intel决定舍弃了Intel 20A工艺，而全力研发18A工艺，18A工艺在今年中已试产，预计18A工艺在今年底量产。

然而如今从晶体管密度方面来看，Intel的18A工艺其实已比台积电的2纳米工艺落后太多了，已不可能再与台积电和三星竞争，全球芯片制造行业就是台积电和三星之间的较量。

不过三星从5纳米之后其实同样跟不上台积电的脚步，三星的5纳米工艺在晶体管密度方面比不过台积电，3纳米工艺则在良率、晶体管密度方面都不如台积电，由此导致三星的3纳米工艺几乎没有客户，台积电从3纳米之后就处于一家独大。

日本的Rapidus为近几年成立的芯片制造企业，它一开始就设定了很高的目标，投产的第一代工艺就是2纳米，预计最快在明年量产，如果Rapidus能在明年顺利量产，将成为台积电的有力竞争者。

美国芯片行业当然希望看到Rapidus的崛起，它们目前已深刻感受到台积电一家独大带来的困扰，台积电独占芯片代工行业之后，连年涨价，由此台积电的业绩不断飞涨，净利润率早已超过40%，净利润率水平在全球每几个企业可比。

如果日本Rapidus的芯片工艺真的能与台积电竞争，美国芯片行业肯定会迅速分出部分订单给它，以制衡台积电，毕竟芯片代工价格的飙涨，连当下盈利丰厚的苹果都难以承受。

不过日本Rapidus的芯片制造工艺是否真的在晶体管密度方面超越台积电，还得看正式量产后的技术水平，这几年日本多个行业都传出造假的消息，日本芯片已有很多年没有发展芯片制造了，此前甚至还以优惠条件吸引台积电赴日本设厂生产10纳米呢，从零起步的Rapidus一下子超越台积电有点让人难以相信。