ATR2660S低噪声放大器创新采用GaAs pHEMT半导体工艺。通过独特的双级放大结构设计，该芯片在实现>28dB功率增益的同时，兼具超低噪声特性和强抗干扰能力。内置的智能偏置电路与多层ESD防护体系，使其在L1/L5等卫星导航频段展现出卓越的信号捕获性能。


主要特征
高增益：
30dB @1575.42MHz
31dB @1176.45MHz
低噪声系数：
1.1dB @1575.42MHz
1.0dB @1176.45MHz
输出 1dB 压缩点：
+6dBm@3.3V
+11dBm@5V
芯片单电源供电
宽的工作电压：3.3V-5V
内部集成温度和工艺稳定的有源偏置
采用 SOT23-5 封装
芯片应用：GNSS 导航接收机、手持设备，汽车导航，移动手机等。

#亿胜盈科

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