背景

        作者在学习多项交错并联技术；

原理

(26 封私信 / 6 条消息) 交错Buck并联均流技术的研究 - 知乎

解释

        假设时钟相位相同，他的电流波形纹波是叠加的。纹波=单相纹波*并联数量；

        如果通过多相交错并联，纹波=单相纹波 / 并联数量；

核心有点就是降低纹波。

问题来了：为什么外置MOS的DCDC控制芯片有上限电流呢（电流保护去除）？

作者就想到了MOS的驱动电流了；

先说结论：驱动电流与输出电流没有关系。见下面的计算。

高频驱动设计要点

1. 驱动电流的选择原则

   • 峰值电流 Ipeak：根据 MOS 管数据手册中的 Ciss 和目标开关时间（如要求 ton<50ns），计算所需 Ipeak（参考公式 Ipeak≥Ciss×VGS/ton）。
   • 平均电流 Iavg：按 Iavg≈Ciss×VGS×f 估算，确保驱动电路（如驱动芯片）的输出电流能力和功耗在安全范围内（如驱动芯片最大输出电流≥2×Iavg，避免过热）。

2. 示例计算

   • 假设 Ciss=1000pF，VGS=10V，f=100kHz，η=80%，则：Iavg​=2×0.81000×10−12×10×100×103​=62.5mA
   • 若 f 提升至 1MHz，Iavg 增至 625mA，驱动功率同步提升 10 倍。

结论：

        提取Mos管 ciss等参数交给AI，让他给出驱动所需的电流。