1.产品概述

PT2052封装和丝印

PT2052A 是一款单通道触摸检测芯片。该芯片内建稳压电路，提供稳定电压给触摸感应电路使用，同时内部集成高效完善的触摸检测算法，使得芯片具有稳定的触摸检测效果。该芯片专为取代传统按键而设计，具有宽工作电压与低功耗的特性，可广泛地满足不同消费类应用的需求。

2. 主要特性

工作电压范围：2.4~5.5V
工作温度范围：-40~85℃
抗干扰性能优良：内置稳压电路、上电复位、低压复位功能及环境自适应算法等多种措施
低功耗工作模式：典型值 2uA@VDD=3V/无负载
低速工作模式：典型值 6uA@VDD=3V/无负载
工作模式可程控，支持低速模式与低功耗模式程控（LPM）切换
按键最长响应时间：低速模式下约<70ms@VDD=3V
可接外部电容（1~50pF）调整触摸灵敏度
NMOS 输出（QD）,低电平输出有效
按键最长输出时间：16 秒（±30%）
上电约 0.4 秒的初始化时间，此期间内不要触摸检测点，且此时所有功能被禁止
HBM ESD：大于 2KV
封装形式：SOT23-6、DFN2*2-6L

3. 系统框图

图 1 系统框图

4. 封装及引脚说明

图 2 PT2052A SOT23-6 管脚示意图

图 3 PT2052A DFN2x2-6L 管脚示意图

注：引脚布局与 SOT23-6 反向

表 1 引脚说明表

SOT23-6	DFN2x2-6L	管脚名称	I/O类型	描述
1	3	QD	O	输出脚，NMOS输出
2	2	VSS	P	地
3	1	TCH	I	触摸感应输入
4	6	NC	-	-
5	5	VDD	P	电源
6	4	LPM	I-PL	低功耗模式选择（非预置项，可程控）0（默认值）：低速模式；1：低功耗模式

引脚类型：
I：CMOS 输入
O：NMOS 输出
I/O：CMOS 输入/输出
P：电源/接地
I-PH： CMOS 输入内置上拉电阻
I-PL： CMOS 输入内置下拉电阻

5.功能描述

5.1 输出模式和选项脚位

LPM 脚位：选择低速工作模式或低功耗模式
工作模式分为低功耗模式、低速模式、快速模式
工作模式切换时序如下

图 4 模式切换时序图

表 2 工作模式扫描间隔

模式	扫描间隔时间	备注
低功耗模式	140mS
低速模式	40mS	可响应双击应用需求
快速模式	10mS	可响应双击应用需求

5.2 按键最长输出时间

若有物体覆盖触摸盘或环境突然变化，可能导致触摸检测持续有效。IC 内部触控算法检测到输出有效持续时间达到设定值 16S（±30%）时，系统会回到上电初始状态，且输出变为无效。

5.3 模式实时切换

PT2052A 在低速模式下运行，可实时响应双击触摸。在此模式下侦测到 LPM 拉高后会切换到低功耗模式，可节省功耗。在低功耗模式下侦测到 LPM 拉低后又可以切换到低速模式。

图 5 LPM=1 时模式切换

5.4 灵敏度调整

IC 触摸管脚上的等效电容大小会影响灵敏度，灵敏度调整必须符合 PCB 的实际应用，下面是一些调整灵敏度的方法：

1. 调整触摸盘大小：
   在其它条件不变的情况下，使用较大的触摸盘尺寸可增加灵敏度，反之则会降低灵敏度；但触摸盘尺寸必须在有效范围内。
2. 调整介质面板厚度：
   在其它条件不变的情况下，使用较薄的介质可增加灵敏度，反之则会降低灵敏度。
3. 调整 Cs 电容值
   在其它条件不变的情况下，触摸盘上未接对地 Cs 电容时，灵敏度最高，反之 Cs 电容越大灵敏度变低，Cs 电容可用范围：（1≦Cs≦50pF）。

6. 应用电路

图 6 电路示意图

注：

1. 在 PCB 上从触摸盘到 TCH 脚的走线越短越好，且触摸走线与其它走线不得平行或交叉。
2. 电源供电必须稳定，若电源电压发生快速漂移或跳变，可能造成灵敏度异常或误检测。
3. 覆盖在 PCB 上的介质，不得含有金属或导电组件成份﹐表面涂料亦同样要求。
4. 必须在 VDD 和 GND 间使用 C1 电容（104 或更大容量）；且应采取与 IC 的 VDD 和 GND 管脚最短距离布线。
5. 可利用 Cs 电容调整灵敏度，Cs 电容值越小灵敏度越高，灵敏度调整必须根据实际应用的 PCB来做调整，Cs 电容值的范围为 1~50pF。
6. 调整灵敏度的电容（Cs）必须选用较小的温度系数及较稳定的电容器，如 X7R、NPO。针对触摸应用，建议选择 NPO 电容器，以降低因温度变化而影响灵敏度。

7. 电气特性

7.1 电气特性极限参数

表 3 极限参数

参数	标号	条件	范围	单位
供电电压	VDD	-	-0 to +5.5	V
输入电压	VI	所有 I/O口	-0.3 to VDD+0.3	V
工作温度	TA	-	-40~ +85	℃
储藏温度	TSTG	-	-50~ +125	℃
芯片抗静电强度HBM	ESD		2	KV

7.2 直流特性

表 4 如无特殊说明 VDD=2.4V~5.5V，Temp=25ºC

参数	标号	条件	最小值	典型值	最大值	单位
工作电压	VDD		2.4	3	5.5	V
输入高电压	VIH	VDD=5V,LPM	0.4*VDD		1.0*VDD	V
输入低电压	VIL	VDD=5V,LPM	0		0.15*VDD	V
输出拉电流	IOH	VDD=3V, VOH=2.1V		2		mA
输出灌电流	IOL	VDD=3V, VOL=0.9V		15		mA
下拉电阻	RPL	VDD=3V（LPM）	24	30	36	Kohm
输出响应时间	TR	VDD=3V、快速模式			40	ms
		VDD=3V、低速模式			70	ms
		VDD=3V、低功耗模式			200	ms
工作电流	ISB	VDD=3V，低功耗模式（无负载）		2	2.5	uA
		VDD=3V，低速模式（无负载）		6	8	uA
		VDD=3V，快速模式（无负载）		20	25	uA