vasp能带计算流程
结构优化#electric relaxationNELMIN= 5NELM = 300EDIFF= 1e-5ALGO = Damped#Ionic RelaxationEDIFFG= -0.01NSW = 300IBRION = 2#(0,1,2,-1,);0-MD,1-Quasi-New,2-CG; 当取2时,对potim依赖很强; -1:无需进行构型优化POTIM = 0.1SMASS = -
·
结构优化
#electric relaxation
NELMIN= 5
NELM = 300
EDIFF= 1e-5
ALGO = Damped
#Ionic Relaxation
EDIFFG= -0.01
NSW = 300
IBRION = 2 #(0,1,2,-1,);0-MD,1-Quasi-New,2-CG; 当取2时,对potim依赖很强; -1:无需进行构型优化
POTIM = 0.1
SMASS = -3 #-3:nve; -1:升温
ISIF = 2 #geometry optimization 2:改变原子位置,3:改变位置,和晶胞
单点计算
KPOINT
Auto
0
G
1 1 1
0.0 0.0 0.0
能带计算
修改KPOINT
修改INCAR
ICHARG = 11
ISMEAR = 1
NBAND=120 #一般为电子数两倍以上
DOS计算
ICHARG = 11
LORBIT = 11 #DOSCAR and lm-decomposed PROCAR
ISMEAR = -5
NEDOS = 2000
EMIN = 10.00;
EMAX = -10.00 energy-range for DOS
EFERMI = 0.00
DAMO开发者矩阵,由阿里巴巴达摩院和中国互联网协会联合发起,致力于探讨最前沿的技术趋势与应用成果,搭建高质量的交流与分享平台,推动技术创新与产业应用链接,围绕“人工智能与新型计算”构建开放共享的开发者生态。
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