NSG21867 是一款高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低 侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了 高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路， 具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出电流能力 最大可达 4A，其浮地通道最高工作电压可达 700V。可 用于驱动 N 沟道高压功率 MOSFET/IGBT 等器件。

自举工作的浮动通道  最高工作电压为 700 V  兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑  dV/dt 耐受能力可达±50 V/nsec  Vs 负压耐受能力达-9V  栅极驱动电压：10 V 到 20V  高、低侧欠压锁定电路 – 欠压锁定正向阈值 6V – 欠压锁定负向阈值 5.5V  芯片开通/关断传输延时 – Ton/Toff =150ns/150ns  高低侧延时匹配  驱动电流能力： ----拉电流/灌电流=4.0A/4.0A  符合 RoSH 标准 SOIC8 (S)

电机控制  空调/洗衣机  通用逆变器  微型逆变器驱动程序