G2060 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片， 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单 芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 G2060 逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻 辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的 死区逻辑。G2060 的浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟道 功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 250V。 G2060 为 TSSOP20 封装，可以在-40℃至 125℃温度范围 内工作。
自举工作的浮地通道  最高工作电压为+250 V  兼容 3.3 /5V 输入逻辑  dVS/dt 耐受能力可达±50 V/ns  Vs 负偏压能力达-9V  栅极驱动电压范围 8V 至 20V  高、低侧欠压锁定电路 – 高侧欠压锁定正向阈值 7.1V – 高侧欠压锁定负向阈值 6.9V – 低侧欠压锁定正向阈值 7V – 低侧欠压锁定负向阈值 6.6V  防直通死区逻辑 – 死区时间设定 200ns  芯片传输延时特性 – 开通/关断传输延时 Ton/Toff =150ns/120ns – 延迟匹配时间小于 50ns  宽温度范围-40~125°C  输出级拉电流/灌电流能力 1.5A/1.8A  符合 RoSH 标准

 电机控制  空调/洗衣机  通用逆变器  微型逆变器驱动