<笔记>LDO温升理论计算

前言

关于LDO温升理论计算公式,好记性不如烂笔头,记录一下免得忘了。
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理论计算方法

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实例计算

以圣邦微的SGM2203为例来计算。局部参数如下图
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假设输入电压12V,输出电压为5V,输出电流为30mA,室温环境25°C。
1,P=(12-5)x 0.045 = 0.315W
2,T =0.315 x (150-25)/1.923 + 25 = 49.57°C
经计算可知最大结温为49.57摄氏度。

实测在散热GND良好的情况下,室温25°C,PCB最高温度为42°C。

实际中温升还与PCB的lauout有关(散热面积)、整机的结构(热交换)有关。理论值以参考为主,温升以实测为准。

参考引用

http://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/knowledge/faq/linear_low-dropout-voltage/low-dropout27.html

规格书

SGM2203系列LDO规格书

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