NSG2008替代IRS2004

NSG2008 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱 动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 NSG2008 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电 路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲 能力和防直通的死区逻辑。NSG2008 其浮动通道可用 于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工 作电压可达 250V。NSG2008 采用 SOIC8 封装，可以 在-40℃至 125℃温度范围内工作。

自举工作的浮地通道  最高工作电压为+250 V  兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑  dVS/dt 耐受能力可达±50 V/ns  Vs 负偏压能力达-9V  栅极驱动电压从 10 V 到 20V  集成欠压锁定电路 – 欠压锁定正向阈值 8.9V – 欠压锁定负向阈值 8.2V  防直通死区逻辑 – 死区时间设定 520ns  芯片传输延时特性 – 开通/关断传输延时 Ton/Toff =680ns/150ns – 延迟匹配时间小于 60ns  宽温度范围-40°C ~125°C  输出级拉电流/灌电流能力 290mA/600mA  符合 RoSH 标准 SOIC8 (S)

电机控制  空调/洗衣机  通用逆变器  微型逆变器驱动